GaSe-kristaller
Med användning av en GaSe-kristall avstämdes den utgående våglängden i området från 58,2 µm till 3540 µm (från 172 cm-1 till 2,82 cm-1) med toppeffekten som nådde 209 W. Avsevärt förbättrades uteffekten för denna THz källa från 209 W till 389 W.
ZnGeP2-kristaller
Å andra sidan, baserat på DFG i en ZnGeP2-kristall avstämdes den utgående våglängden i intervallen 83,1–1642 µm respektive 80,2–1416 µm för tvåfasmatchande konfigurationer. Uteffekten har nått 134 W.
GaP-kristaller
Med hjälp av en GaP-kristall avstämdes den utgående våglängden i området 71,1−2830 µm medan den högsta toppeffekten var 15,6 W. Fördelen med att använda GaP framför GaSe och ZnGeP2 är uppenbar: kristallrotation krävs inte längre för att uppnå våglängdsinställning. , behöver man bara ställa in våglängden för en blandningsstråle inom en bandbredd på så smal som 15,3 nm.
Till sammanfattning
Konverteringseffektiviteten på 0,1 % är också den högsta som någonsin uppnåtts för ett bordssystem som använder ett kommersiellt tillgängligt lasersystem som pumpkällor. Den enda THz-källan som skulle kunna konkurrera med GaSe THz-källan är en frielektronlaser, som är extremt skrymmande och förbrukar en enorm elkraft.Dessutom kan utgångsvåglängderna för dessa THz-källor ställas in i extremt breda intervall, till skillnad från kvantkaskadlasrarna som var och en endast kan generera en fast våglängd. Därför skulle vissa tillämpningar som kan realiseras med brett avstämbara monokromatiska THz-källor inte vara möjligt om man istället förlitar sig på THz-pulserna under pikosekunden eller kvantkaskadlasrar.
