Terahertz-källor har alltid varit en av de viktigaste teknikerna inom området för THz-strålning. Många sätt hade visat sig fungerande för att uppnå THz-strålning. Vanligtvis är det elektronik- och fotonikteknologier.Inom fotonikområdet är olinjär generering av optisk skillnadsfrekvens baserat på ickelinjära kristaller med stor olinjär koefficient, höga optiska skadetröskelvärden ett av sätten att erhålla hög effekt, avstämbar, bärbar och rumstemperaturdriven THz-våg.GaSe och ZnGeP2(ZGP) olinjära kristaller appilas oftast.
GaSe-kristaller med låg absorption vid millimeter & THz-våg, hög skadad tröskel och hög andra icke-liear koefficient (d22 = 54 pm/V), används vanligtvis för att bearbeta Terahertz-våg inom 40 μm och även långvågsavstämbar Thz-våg (över 40 μm).Det visade sig vara avstämbar THz-våg vid 2,60 -39,07μm när matchningsvinkeln vid 11,19°-23,86°[eoo (e - o = o)], och 2,60 -36,68μm utmatning när matchningsvinkeln vid 12,19°-27,01°[eoe (eoe) -o = e)].Vidare erhölls 42,39-5663,67μm avstämbar THz-våg när matchningsvinkeln vid 1,13°-84,71°[oee (o - e = e)].
ZnGeP2 (ZGP) kristaller med hög olinjär koefficient, hög värmeledningsförmåga, hög optisk skadad tröskel har också undersökts som en utmärkt THz-källa.ZnGeP2 har också en andra olinjär koefficient vid d36 = 75 pm/V), vilket är 160 gånger KDP-kristaller.De två typerna fasmatchningsvinkeln för ZGP-kristaller (1,03°-10,34°[oee (oe = e)]& 1,04°-10,39°[oeo (oe= e)]) som bearbetar liknande THz-utgång (43,01 -5663,67μm), den oeo-typ visade sig vara ett bättre val på grund av sin högre effektiva olinjära koefficient.På mycket lång tid var uteffekten av ZnGeP2-kristaller som Terahertz-källa begränsad, eftersom ZnGeP2-kristallen från andra leverantörer har hög absorption i nära infraröd region (1-2μm): Absorptionskoefficient >0.7cm-1 @1μm och >0.06 cm-1@2μm.DIEN TECH tillhandahåller dock ZGP(modell: YS-ZGP)-kristaller med superlåg absorption: Absorptionskoefficient <0,35cm-1@1μm och <0,02cm-1@2μm.De avancerade YS-ZGP-kristallerna gör det möjligt för användare att nå mycket bättre resultat.
Referens:'基于 GaSe 和 Zn GeP2 晶体差频产生可调谐太赫兹辐射的理论研究'2008 Chin.Phys.Soc.
